IXYS

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Descrizione
Dettagli prodotto
  • € 5,81
    1pz in confezione da 2
MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain16 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
  • € 11,70Unità
MOSFET IXYS, canale N, 36 mΩ, 94 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain94 A
  • Tensione massima drain source300 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
  • € 41,312
    Each (In a Tube of 20)
MOSFET IXYS, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain132 A
  • Tensione massima drain source250 V
  • Tipo di packageSMPD
  • SerieGigaMOS, HiperFET
Prodotti simili in MOSFET
  • € 17,683
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 1,2 Ω, 10 A, ISOPLUS247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain10 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo di packageISOPLUS247
Prodotti simili in MOSFET
  • € 11,046
    Each (In a Tube of 30)
IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD
  • Corrente massima continuativa collettore6 A
  • Tensione massima collettore emitter1700 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Tipo di packageTO-247AD
  • Tipo di montaggioSu foro
Prodotti simili in IGBT
  • € 27,175
    Each (In a Tube of 10)
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 30A, 1200V, SOT-227B, Fast recovery
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageSOT-227B
  • Corrente massima continuativa di forward30A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Configurazione diodiIsolato
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
  • € 4,605
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain22 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHiperFET, Polar3
Prodotti simili in MOSFET
  • € 42,561
    Each (In a Tube of 20)
MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 550 A, SMPD, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain550 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • SerieGigaMOS, HiperFET
  • Tipo di packageSMPD
Prodotti simili in MOSFET
  • € 9,62Unità
MOSFET IXYS, canale N, 65 mΩ, 48 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain48 A
  • Tensione massima drain source650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
  • € 120,64
    Each (In a Box of 3)
Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 360 A, canale N, SimBus F
  • Corrente massima continuativa collettore360 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±30V
  • Dissipazione di potenza massima1100 W.
  • Tipo di packageSimBus F
Prodotti simili in IGBT
  • € 5,03Unità
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268
  • Corrente massima continuativa collettore50 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tipo di packageTO-268
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Numero pin3
Prodotti simili in IGBT
  • Codice RS
    192-635
  • Marchio
    IXYS
  • Codice costruttore
    IXGT30N120B3D1
  • € 61,955
    Each (In a Box of 6)
Modulo tiristore doppio SCR IXYS, Y4 M6, 7 Pin, 130A, 1200V, Montaggio a pannello
  • Corrente nominale media di on-state130A
  • Tipo tiristoreModulo SCR
  • Tipo di packageY4 M6
  • Picco ripetitivo di tensione inversa1200V
  • Sovracorrente nominale5.08kA
Prodotti simili in Tiristori
  • € 24,448
    Each (In a Tube of 10)
MOSFET IXYS, canale N, 2,6 mΩ, 360 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain360 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieGigaMOS Trench HiperFET
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
  • € 39,332
    Each (In a Tube of 25)
MOSFET IXYS, canale N, 600 mΩ, 22 A, TO-264, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain22 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • Tipo di packageTO-264
  • SerieLinear
Prodotti simili in MOSFET
  • € 22,82Unità
MOSFET IXYS, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain132 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo di packagePLUS264
Prodotti simili in MOSFET
  • € 5,08
    1pz in confezione da 2
MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain22 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHiperFET, Polar3
Prodotti simili in MOSFET
  • € 131,71Unità
Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 360 A, canale N, SimBus F
  • Corrente massima continuativa collettore360 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±30V
  • Dissipazione di potenza massima1100 W.
  • Tipo di packageSimBus F
Prodotti simili in IGBT
  • € 25,844
    Each (In a Box of 36)
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 95A, 800V, TO-240AA, Impieghi generici
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageTO-240AA
  • Corrente massima continuativa di forward95A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa800V
  • Configurazione diodiSerie
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
  • € 7,45Unità
MOSFET IXYS, canale N, 230 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain26 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
  • € 168,34
    Each (In a Box of 3)
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 310A, 2200V, Y1 CU, Alta tensione
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageY1 CU
  • Corrente massima continuativa di forward310A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa2200V
  • Configurazione diodiSerie
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
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