IXYS

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MOSFET IXYS, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro
  • € 29,41Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain32 A
  • Tensione massima drain source800 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo di packagePLUS247
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Su foro, 10A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • € 2,286
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo IXYS, Su foro, 10A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-220AC
  • Corrente massima continuativa di forward10A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 28,73Unità
MOSFET IXYS, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain200 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SeriePolar HiPerFET
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale
  • € 22,69Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain500 A
  • Tensione massima drain source75 V
  • Tipo di packageSMPD
  • SerieGigaMOS, HiperFET
Prodotti simili in MOSFET
Driver MOSFET IXDD609SITR, SOIC, 8-Pin
  • € 3,042
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Driver MOSFET IXDD609SITR, SOIC, 8-Pin
  • Numero pin8
  • Tipo di packageSOIC
  • TopologiaLow Side
  • Numero di driver1
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Gate driver
Modulo IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 320 A, canale N, SOT-227B
  • € 35,48Unità
Modulo IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 320 A, canale N, SOT-227B
  • Corrente massima continuativa collettore320 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima735 W
  • ConfigurazioneSingle
Prodotti simili in IGBT
MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro
  • € 28,389
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain32 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • Tipo di packagePLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 140A, 1600V, TO-240, Impieghi generici
  • € 37,64Unità
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 140A, 1600V, TO-240, Impieghi generici
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageTO-240
  • Corrente massima continuativa di forward140A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodiSerie
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 41 mΩ, 90 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 49,43Unità
MOSFET IXYS, canale N, 41 mΩ, 90 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain90 A
  • Tensione massima drain source850 V
  • SerieHiperFET
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247
  • € 10,38Unità
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247
  • Corrente massima continuativa collettore50 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tipo di packageTO-247
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Numero pin3
Prodotti simili in IGBT
  • Codice RS
    192-641
  • Marchio
    IXYS
  • Codice costruttore
    IXGH30N120B3D1
MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro
  • € 19,43Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain18 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247
  • € 11,36Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247
  • Corrente massima continuativa collettore78 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima325 W
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in IGBT
Modulo tiristore SCR IXYS, Y1 CU, 4 Pin, 560A, 1200V, Montaggio a pannello
  • € 159,193
    Each (In a Box of 3)
Modulo tiristore SCR IXYS, Y1 CU, 4 Pin, 560A, 1200V, Montaggio a pannello
  • Corrente nominale media di on-state560A
  • Tipo tiristoreModulo SCR
  • Tipo di packageY1 CU
  • Picco ripetitivo di tensione inversa1200V
  • Sovracorrente nominale17kA
Prodotti simili in Tiristori
Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB
  • € 126,83Unità
Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB
  • Corrente massima continuativa collettore270 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Tipo di packageY3 DCB
  • ConfigurazioneSingle
Prodotti simili in IGBT
Diodo IXYS, Su foro, 30A, 1000V, ISOPLUS247, Switching
  • € 5,857
    Each (In a Tube of 30)
Diodo IXYS, Su foro, 30A, 1000V, ISOPLUS247, Switching
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageISOPLUS247
  • Corrente massima continuativa di forward30A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1000V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 54,99Unità
MOSFET IXYS, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain38 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 440 mΩ, 24 A, TO-264, Su foro
  • € 26,46Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 440 mΩ, 24 A, TO-264, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain24 A
  • Tensione massima drain source1000 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo di packageTO-264
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro
  • € 18,76Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain54 A
  • Tensione massima drain source650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo di packageISOPLUS247
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 110A, 1600V, TO-240, Impieghi generici
  • € 36,008
    Each (In a Box of 6)
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 110A, 1600V, TO-240, Impieghi generici
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageTO-240
  • Corrente massima continuativa di forward110A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodiSerie
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Modulo tiristore doppio SCR IXYS, SOT-227B, 4 Pin, 40A, 1600V, Montaggio superficiale
  • € 30,81Unità
Modulo tiristore doppio SCR IXYS, SOT-227B, 4 Pin, 40A, 1600V, Montaggio superficiale
  • Corrente nominale media di on-state40A
  • Tipo tiristoreSCR
  • Tipo di packageSOT-227B
  • Picco ripetitivo di tensione inversa1600V
  • Sovracorrente nominale650A
Prodotti simili in Tiristori
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