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MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,3 mΩ, 204 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • € 2,332
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,3 mΩ, 204 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain204 A
  • Tensione massima drain source40 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageVSON-CLIP
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 5,8 mΩ, 134 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 1,392
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 5,8 mΩ, 134 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain134 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 8V, breakdown 7V, SOT-9X3
  • € 0,328
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 8V, breakdown 7V, SOT-9X3
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiArray complesso
  • Tensione massima di bloccaggio8V
  • Tensione minima di breakdown7V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, SOT-23
  • € 1,116
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, SOT-23
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSOT-23
  • Numero pin6
  • Numero di elementi per chip2
Prodotti simili in Diodi TVS
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, bloccaggio 7V, breakdown 6.5V, TSSOP
  • € 1,017
    Each (In a Tube of 150)
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, bloccaggio 7V, breakdown 6.5V, TSSOP
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tensione massima di bloccaggio7V
  • Tensione minima di breakdown6.5V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageTSSOP
Prodotti simili in Diodi TVS
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 8V, breakdown 7V, SOT-9X3
  • € 0,118
    Unità (Su Bobina da 3000)
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 8V, breakdown 7V, SOT-9X3
  • Configurazione diodiArray complesso
  • DirezioneUnidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio8V
  • Tensione minima di breakdown7V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOT-23
  • € 0,36
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOT-23
  • Configurazione diodiArray complesso
  • DirezioneUnidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Diodo di protezione ESD Texas Instruments
  • € 0,213
    Unità (Su Bobina da 4000)
Diodo di protezione ESD Texas Instruments
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Numero di elementi per chip4
Prodotti simili in Diodi TVS
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, UQFN
  • € 0,165
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, UQFN
  • Configurazione diodiArray complesso
  • DirezioneUnidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • € 0,465
    Unità (Su Bobina da 250)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain3,1 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Tipo di packagePICOSTAR
  • SerieFemtoFET
Prodotti simili in MOSFET
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOT-23
  • € 0,133
    Unità (Su Bobina da 3000)
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOT-23
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiArray complesso
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, UQFN
  • € 0,174
    Unità (Su Bobina da 3000)
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, UQFN
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiArray complesso
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • € 0,63
    1pz in confezione da 20
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 250 mΩ, 3,1 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain3,1 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Tipo di packagePICOSTAR
  • SerieFemtoFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
  • € 5,83Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain272 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageD2PAK (TO-263)
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 18 mΩ, 54 A, TO-220, Su foro
  • € 0,912
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 18 mΩ, 54 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain54 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOP
  • € 0,151
    Unità (Su Bobina da 3000)
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOP
  • Configurazione diodiArray complesso
  • DirezioneUnidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSON, Montaggio superficiale
  • € 0,79
    Unità (Su Bobina da 250)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSON, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageVSON
Prodotti simili in MOSFET
Array diodi TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, breakdown 20V, SON
  • € 0,556
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array diodi TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, breakdown 20V, SON
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiArray complesso
  • Tensione minima di breakdown20V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSON
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
  • € 4,617
    Unità (Su Bobina da 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain272 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageD2PAK (TO-263)
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,645
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
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