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MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
  • € 2,862
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain20 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-247
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • € 0,648
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain10 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Tipo di packageSOP
  • SerieTPC
Prodotti simili in MOSFET
Demultiplexer/multiplexer TC74HC4053AP(F), 16-Pin, PDIP
  • € 0,75
    1pz in confezione da 5
Demultiplexer/multiplexer TC74HC4053AP(F), 16-Pin, PDIP
  • Numero pin16
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packagePDIP
  • Dimensioni19.25 x 6.4 x 3.5mm
Prodotti simili in Multiplexer e Demultiplexer CI
Switch di alimentazione CI Toshiba High side, SSOP, 24 pin, 40 V, 1.2Ω
  • € 5,47Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Switch di alimentazione CI Toshiba High side, SSOP, 24 pin, 40 V, 1.2Ω
  • Topologia dell'interruttore di alimentazioneHigh side
  • Power Switch TypeInterruttore high side
  • Resistenza di commutazione1.2Ω
  • Tensione di alimentazione operativa massima40 V
  • Numero di uscite8
Prodotti simili in Switch di alimentazione CI
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  • € 0,046
    Unità (Su Bobina da 3000)
Diodo Toshiba, SMD, SOT-346 (SC-59), Singolo, 3 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Numero di elementi per chip1
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSOT-346 (SC-59)
  • Tecnologia del diodoGiunzione al silicio
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  • € 0,766
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Toshiba, canale N, 13,8 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain60 A
  • Tensione massima drain source120 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieTK
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  • € 1,266
    1pz in confezione da 5
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  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain60 A
  • Tensione massima drain source120 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieTK
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JFET 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba, canale N, Single, SOT-346 (SC-59), 3 Pin Singolo
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    1pz in confezione da 10
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
JFET 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba, canale N, Single, SOT-346 (SC-59), 3 Pin Singolo
  • Tipo di canaleN
  • Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss0.3 to 0.75mA
  • Tensione massima drain source10 V
  • Tensione massima gate source-30 V
  • Tensione massima drain gate-50V
Prodotti simili in JFET
MOSFET Toshiba, canale N, 40 mΩ, 5,1 A, SOP, Montaggio superficiale
  • € 0,46
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 40 mΩ, 5,1 A, SOP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain5,1 A
  • Tensione massima drain source40 V
  • Tipo di packageSOP
  • SerieTPC
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MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro
  • € 5,153
    Each (In a Tube of 25)
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain20 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-3PN
  • SerieTK
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Gate logico Quad NAND Toshiba, 2 V → 6 V, 14 Pin, SOP
  • € 0,212
    1pz in confezione da 5
Gate logico Quad NAND Toshiba, 2 V → 6 V, 14 Pin, SOP
  • Funzione logicaNAND
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Numero di elementi4
  • Number of Inputs per Gate2
  • Ingresso trigger di SchmittNo
Prodotti simili in Gate logici
MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale
  • € 1,25
    1pz in confezione da 5
MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain59 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieTPH
  • Tipo di packageSOP Advanced
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IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
  • € 4,143
    Each (In a Tube of 25)
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
  • Corrente massima continuativa collettore50 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±25V
  • Dissipazione di potenza massima230 W
  • Tipo di packageTO-3P
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  • € 0,847
    Unità (Su Bobina da 5000)
MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain59 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageSOP Advanced
  • SerieTPH
Prodotti simili in MOSFET
JFET 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba, canale N, Single, SOT-346 (SC-59), 3 Pin Singolo
  • € 0,347
    1pz in confezione da 10
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
JFET 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba, canale N, Single, SOT-346 (SC-59), 3 Pin Singolo
  • Tipo di canaleN
  • Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss1.2 to 3.0mA
  • Tensione massima drain source10 V
  • Tensione massima gate source-30 V
  • Tensione massima drain gate-50V
Prodotti simili in JFET
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro
  • € 8,415
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain20 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-3PN
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
Transistor MOSFET Toshiba, canale P, 60 mΩ, 4,5 A, VS, Montaggio superficiale
  • € 0,213
    1pz in confezione da 10
Transistor MOSFET Toshiba, canale P, 60 mΩ, 4,5 A, VS, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain4,5 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • SerieU-MOSⅣ
  • Tipo di packageVS
Prodotti simili in MOSFET
Inverter sestuplo TC74HC07AF(F), canali Hex, Buffer, HC, Drain aperto, 14-Pin, SOP
  • € 0,394
    1pz in confezione da 5
Inverter sestuplo TC74HC07AF(F), canali Hex, Buffer, HC, Drain aperto, 14-Pin, SOP
  • Funzione logicaBuffer
  • Tipo di uscitaDrain aperto
  • Numero di elementi per chip6
  • Corrente massima di uscita a basso livello5.2mA
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Inverter CI
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
  • € 5,99Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
  • Corrente massima continuativa collettore50 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±25V
  • Dissipazione di potenza massima230 W
  • Tipo di packageTO-3P
Prodotti simili in IGBT
MOSFET Toshiba, canale N, 3,4 mΩ, 207 A, TO-220, Su foro
  • € 1,754
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Toshiba, canale N, 3,4 mΩ, 207 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain207 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
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