IXYS

Semiconduttori

Categorie

Visualizzati 341 - 360 di 878 prodotti
Confronta selezione 0/8
Visualizza come:
Prezzo
(escluso IVA)
Descrizione
Dettagli prodotto
Diodo IXYS, Su foro, 7A, 1600V
  • € 4,164
    Each (In a Box of 100)
Diodo IXYS, Su foro, 7A, 1600V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Corrente massima continuativa di forward7A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodiSingolo
  • DiodoGiunzione al silicio
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Diodo IXYS, Su foro, 17A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • € 4,13
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo IXYS, Su foro, 17A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-220AC
  • Corrente massima continuativa di forward17A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Diodo IXYS, Su foro, 17A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • € 3,718
    Each (In a Tube of 50)
Diodo IXYS, Su foro, 17A, 1200V, TO-220AC, Switching
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-220AC
  • Corrente massima continuativa di forward17A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro
  • € 5,48Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain50 A
  • Tensione massima drain source200 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247
  • € 12,61Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247
  • Corrente massima continuativa collettore90 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima625 W
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in IGBT
Modulo raddrizzatore ponte, Trifase, IXYS, Ifwd 82A, VRRM 1600V, V1-A-Pack, Montaggio a pannello, 5 Pin
  • € 37,69Unità
Modulo raddrizzatore ponte, Trifase, IXYS, Ifwd 82A, VRRM 1600V, V1-A-Pack, Montaggio a pannello, 5 Pin
  • Corrente di forward media di picco82A
  • PonteTrifase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageV1-A-Pack
Prodotti simili in Raddrizzatori a ponte
MOSFET IXYS, canale N, 140 mΩ, 48 A, TO-264, Su foro
  • € 26,15Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 140 mΩ, 48 A, TO-264, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain48 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-264
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
  • € 3,396
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain12 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Su foro, 7A, 1600V
  • € 5,57Unità
Diodo IXYS, Su foro, 7A, 1600V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Corrente massima continuativa di forward7A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodiSingolo
  • DiodoGiunzione al silicio
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
  • € 3,786
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain12 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieHiperFET, Polar
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 40 mΩ, 88 A, TO-247, Su foro
  • € 12,019
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 40 mΩ, 88 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain88 A
  • Tensione massima drain source300 V
  • Tipo di packageTO-247
  • SerieHiperFET, Polar
Prodotti simili in MOSFET
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • € 5,02Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Numero di elementi per chip1
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-247AD
  • Tecnologia del diodoGiunzione al silicio
Prodotti simili in Diodi switching
Diodo IXYS, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD, Impieghi generici
  • € 4,275
    Each (In a Tube of 30)
Diodo IXYS, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD, Impieghi generici
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-247AD
  • Corrente massima continuativa di forward48A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264
  • € 22,589
    Each (In a Tube of 25)
IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264
  • Corrente massima continuativa collettore100 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima695 W
  • Numero di transistor1
Prodotti simili in IGBT
Modulo tiristore doppio SCR IXYS, Y2 DCB, 7 Pin, 320A, 1200V, Montaggio a pannello
  • € 127,73
    Each (In a Box of 2)
Modulo tiristore doppio SCR IXYS, Y2 DCB, 7 Pin, 320A, 1200V, Montaggio a pannello
  • Corrente nominale media di on-state320A
  • Tipo tiristoreModulo SCR
  • Tipo di packageY2 DCB
  • Picco ripetitivo di tensione inversa1200V
  • Sovracorrente nominale9.8kA
Prodotti simili in Tiristori
MOSFET IXYS, canale N, 2,3 mΩ, 420 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 30,815
    Each (In a Tube of 10)
MOSFET IXYS, canale N, 2,3 mΩ, 420 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain420 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieGigaMOS Trench HiperFET
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 260 mΩ, 28 A, TO-3PN, Su foro
  • € 6,265
    1pz in confezione da 2
MOSFET IXYS, canale N, 260 mΩ, 28 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain28 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo di packageTO-3PN
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 15 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro
  • € 7,28Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 15 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-247
  • SerieHiperFET, Polar
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 54,32Unità
MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain82 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • Tipo di packageSOT-227
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 43,58Unità
MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain192 A
  • Tensione massima drain source300 V
  • Tipo di packageSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar3
Prodotti simili in MOSFET
Cercati di Recente
Domande frequenti
Serve aiuto?
Chiama il nostro servizio clienti al:
02 66.058.1
Servizi
In evidenza
Chi siamo
Contattaci
02.66.058.1
© 2001, RS Components S.r.l. - Tutti i diritti sono riservati.
P.I. 02267810964 - Viale T. Edison 110, Edificio C, 20099 Sesto San Giovanni MI, ITALIA - Tribunale Monza 50885 - Capitale sociale € 3.900.000 (int. vers.)
Payment options