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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A
  • € 136,695
    Each (In a Box of 8)
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A
  • Corrente massima continuativa collettore150 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor2
  • ConfigurazioneHalf Bridge
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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A
  • € 81,75Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A
  • Corrente massima continuativa collettore100 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor1
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  • Corrente di forward media di picco9A
  • PonteTrifase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1800V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageDBI P
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  • Corrente di forward media di picco17A
  • PonteMonofase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageG 10b
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  • Corrente nominale media di on-state570A
  • Tipo tiristoreSCR
  • Tipo di packageSEMIPACK5
  • Picco ripetitivo di tensione inversa1600V
  • Sovracorrente nominale1500A
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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A
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  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A
  • Corrente massima continuativa collettore300 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor2
  • ConfigurazioneHalf Bridge
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  • PonteMonofase
  • Corrente di forward media di picco35A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa800V
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageG 10b
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  • PonteTrifase
  • Corrente di forward media di picco27A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa800V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageDBI P
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  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A
  • Corrente massima continuativa collettore400 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor1
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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A
  • Corrente massima continuativa collettore400 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor1
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  • Corrente di forward media di picco35A
  • PonteMonofase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageG 10b
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  • Corrente di forward media di picco30A
  • PonteTrifase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageG 13
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  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageA 78b
  • Corrente massima continuativa di forward380A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Configurazione diodi2x serie in coppia
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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A
  • € 136,69Unità
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  • Corrente massima continuativa collettore150 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor2
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  • Picco della tensione ripetitiva inversa1800V
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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A
  • Corrente massima continuativa collettore400 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor1
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  • Corrente nominale media di on-state250A
  • Tipo tiristoreSCR
  • Picco ripetitivo di tensione inversa2200V
  • Corrente di gate trigger massima200mA
  • Tensione di gate trigger massima3V
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  • Corrente massima continuativa collettore150 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor2
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  • Corrente massima continuativa collettore100 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±15.0V
  • Numero di transistor2
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  • Corrente massima continuativa collettore1,1 kA
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter20V
  • ConfigurazioneSerie
  • Tipo di packageSEMiX®3p
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