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MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO-220AB, Su foro
  • € 1,087
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale N, 290 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro
  • € 5,39Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Infineon, canale N, 290 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain17 A
  • Tensione massima drain source800 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale N, 290 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro
  • € 2,981
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET Infineon, canale N, 290 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain17 A
  • Tensione massima drain source800 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
  • € 0,501
    Unità (Su Bobina da 2000)
MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain31 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • Tipo di packageDPAK (TO-252)
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)
  • € 0,836
    Unità (Su Bobina da 1000)
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)
  • Corrente massima continuativa collettore10 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima110 W
  • Tipo di packageD2PAK (TO-263)
Prodotti simili in IGBT
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)
  • € 0,508
    1pz in confezione da 20
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)
  • Corrente massima continuativa collettore10 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima110 W
  • Tipo di packageD2PAK (TO-263)
Prodotti simili in IGBT
MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
  • € 0,984
    1pz in confezione da 20
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain31 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo di packageDPAK (TO-252)
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale P, 200 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro
  • € 0,624
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Infineon, canale P, 200 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain14 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
Varactor Infineon BB639E7904HTSA1 per Sintonizzatore SOD-323, 2 Pin
  • € 0,254
    1pz in confezione da 10
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Varactor Infineon BB639E7904HTSA1 per Sintonizzatore SOD-323, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Numero di elementi per chip1
  • ApplicazioneSintonizzatore
  • Capacità minima diodo36pF
  • Massima tensione inversa30V
Prodotti simili in Diodi Varicap
MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
  • € 0,974
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain31 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo di packageTO-220AB
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale P, 200 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro
  • € 0,86Unità
MOSFET Infineon, canale P, 200 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain14 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
Varactor Infineon BB639E7904HTSA1 per Sintonizzatore SOD-323, 2 Pin
  • € 0,075
    Unità (Su Bobina da 3000)
Varactor Infineon BB639E7904HTSA1 per Sintonizzatore SOD-323, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Numero di elementi per chip1
  • ApplicazioneSintonizzatore
  • Capacità minima diodo36pF
  • Massima tensione inversa30V
Prodotti simili in Diodi Varicap
MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
  • € 1,25Unità
MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain31 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
Regolatore di tensione TLE4275GATMA1, 5-Pin, D2PAK (TO-263)
  • € 4,294
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Regolatore di tensione TLE4275GATMA1, 5-Pin, D2PAK (TO-263)
  • Tipo di regolatoreBassa tensione di caduta
  • Tensione di uscita4,9 → 5,1 V
  • Numero di uscite1
  • Regolazione di linea15 mV
  • Regolazione del carico30 mV
Prodotti simili in Regolatori di tensione
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO247AC, Su foro
  • € 1,94Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO247AC, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo di packageTO247AC
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO247AC, Su foro
  • € 1,902
    Each (In a Tube of 25)
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO247AC, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source55 V
  • Tipo di packageTO247AC
  • SerieHEXFET
Prodotti simili in MOSFET
Transistor PNP Infineon, 3 Pin, SOT-23, -100 mA, -45 V, Montaggio superficiale
  • € 0,225
    1pz in confezione da 50
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Transistor PNP Infineon, 3 Pin, SOT-23, -100 mA, -45 V, Montaggio superficiale
  • Tipo transistorPNP
  • Corrente c.c. massima collettore-100 mA
  • Tensione massima collettore emitter-45 V
  • Tipo di packageSOT-23
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Transistor bipolari
Diodo Infineon, Montaggio superficiale, 3A, 10V, SOD-323, Diodo Schottky
  • € 0,319
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo Infineon, Montaggio superficiale, 3A, 10V, SOD-323, Diodo Schottky
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSOD-323
  • Corrente massima continuativa di forward3A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa10V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Transistor PNP Infineon, 3 Pin, SOT-23, -100 mA, -45 V, Montaggio superficiale
  • € 0,051
    Unità (Su Bobina da 3000)
Transistor PNP Infineon, 3 Pin, SOT-23, -100 mA, -45 V, Montaggio superficiale
  • Tipo transistorPNP
  • Corrente c.c. massima collettore-100 mA
  • Tensione massima collettore emitter-45 V
  • Tipo di packageSOT-23
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Transistor bipolari
Diodo Infineon, Montaggio superficiale, 3A, 10V, SOD-323, Diodo Schottky
  • € 0,101
    Unità (Su Bobina da 3000)
Diodo Infineon, Montaggio superficiale, 3A, 10V, SOD-323, Diodo Schottky
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSOD-323
  • Corrente massima continuativa di forward3A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa10V
  • Configurazione diodiSingolo
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
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