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MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro
  • € 3,109
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain259 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 9,8 mΩ, 75 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,674
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 9,8 mΩ, 75 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain75 A
  • Tensione massima drain source40 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageVSONP
Prodotti simili in MOSFET
Texas Instruments Diodo a corrente costante LM334M/NOPB, 10mA, SOIC, 8 Pin
  • € 1,294
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Texas Instruments Diodo a corrente costante LM334M/NOPB, 10mA, SOIC, 8 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Corrente regolatore massima10mA
  • Numero di elementi per chip1
  • Tensione di picco operativa massima40V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi a corrente costante
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro
  • € 3,76Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain273 A
  • Tensione massima drain source80 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale
  • € 0,162
    Unità (Su Bobina da 3000)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain5 A
  • Tensione massima drain source25 V
  • Tipo di packageWSON
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale
  • € 0,165
    1pz in confezione da 10
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain5 A
  • Tensione massima drain source25 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageWSON
Prodotti simili in MOSFET
Transistor Darlington NPN Texas Instruments, SOIC, 16 Pin, 140 mA, 8 V, Montaggio superficiale
  • € 0,255
    Unità (Su Bobina da 2500)
Transistor Darlington NPN Texas Instruments, SOIC, 16 Pin, 140 mA, 8 V, Montaggio superficiale
  • Tipo transistorNPN
  • Corrente massima continuativa collettore140 mA
  • Tensione massima collettore emitter8 V
  • Tipo di packageSOIC
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Transistor Darlington
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, TSSOP
  • € 1,017
    Each (In a Tube of 150)
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, TSSOP
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageTSSOP
  • Numero pin8
  • Numero di elementi per chip2
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
  • € 1,358
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageTO-220
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
  • € 1,108
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 1,45 mΩ, 43 A, Fascetta VSCON, Montaggio superficiale
  • € 0,631
    Unità (Su Bobina da 250)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 1,45 mΩ, 43 A, Fascetta VSCON, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain43 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageFascetta VSCON
Prodotti simili in MOSFET
Array di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 8.8V, breakdown 5.5V, USON
  • € 0,189
    1pz in confezione da 20
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 8.8V, breakdown 5.5V, USON
  • DirezioneBidirezionale
  • Configurazione diodiQuadruplo
  • Tensione massima di bloccaggio8.8V
  • Tensione minima di breakdown5.5V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, TSSOP
  • € 1,532
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, TSSOP
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageTSSOP
  • Numero pin8
  • Numero di elementi per chip2
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro
  • € 3,178
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain273 A
  • Tensione massima drain source80 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
Transistor Darlington NPN Texas Instruments, SOIC, 16 Pin, 140 mA, 8 V, Montaggio superficiale
  • € 0,57Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Transistor Darlington NPN Texas Instruments, SOIC, 16 Pin, 140 mA, 8 V, Montaggio superficiale
  • Tipo transistorNPN
  • Corrente massima continuativa collettore140 mA
  • Tensione massima collettore emitter8 V
  • Tipo di packageSOIC
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Transistor Darlington
Array di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 8.8V, breakdown 5.5V, USON
  • € 0,197
    Unità (Su Bobina da 3000)
Array di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 8.8V, breakdown 5.5V, USON
  • Configurazione diodiQuadruplo
  • DirezioneBidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio8.8V
  • Tensione minima di breakdown5.5V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, SOT-23
  • € 0,69
    Unità (Su Bobina da 250)
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, SOT-23
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSOT-23
  • Numero pin6
  • Numero di elementi per chip2
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,3 mΩ, 204 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • € 1,228
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,3 mΩ, 204 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain204 A
  • Tensione massima drain source40 V
  • Tipo di packageVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 5,8 mΩ, 134 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,825
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 5,8 mΩ, 134 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain134 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, bloccaggio 7V, breakdown 6.5V, TSSOP
  • € 1,532
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo TVS Texas Instruments, , SMD, bloccaggio 7V, breakdown 6.5V, TSSOP
  • Configurazione diodiAnodo comune
  • Tensione massima di bloccaggio7V
  • Tensione minima di breakdown6.5V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageTSSOP
Prodotti simili in Diodi TVS
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