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Array diodi TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, breakdown 20V, SON
  • € 0,197
    Unità (Su Bobina da 5000)
Array diodi TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, breakdown 20V, SON
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiArray complesso
  • Tensione minima di breakdown20V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
  • Tipo di packageSON
Prodotti simili in Diodi TVS
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOP
  • € 0,142
    Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Array di protezione ESD Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 100V, breakdown 11V, SOP
  • Configurazione diodiArray complesso
  • DirezioneUnidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio100V
  • Tensione minima di breakdown11V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 1,136
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
Diodo di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 14V, breakdown 6V, X2SON
  • € 0,036
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 14V, breakdown 6V, X2SON
  • Configurazione diodiSingolo
  • DirezioneBidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio14V
  • Tensione minima di breakdown6V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Raddrizzatore a ponte, Monofase, Texas Instruments, Ifwd 1A, VRRM 50V, PDIP, Su foro, 8 Pin
  • € 7,61
    Each (In a Tube of 50)
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Raddrizzatore a ponte, Monofase, Texas Instruments, Ifwd 1A, VRRM 50V, PDIP, Su foro, 8 Pin
  • Corrente di forward media di picco1A
  • PonteMonofase
  • Picco della tensione ripetitiva inversa50V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packagePDIP
Prodotti simili in Raddrizzatori a ponte
Diodo di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 14V, breakdown 6V, X2SON
  • € 0,039
    Unità (Su Bobina da 10000)
Diodo di protezione ESD Texas Instruments, Bidirezionale, , SMD, bloccaggio 14V, breakdown 6V, X2SON
  • Configurazione diodiSingolo
  • DirezioneBidirezionale
  • Tensione massima di bloccaggio14V
  • Tensione minima di breakdown6V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
Raddrizzatore a ponte, Monofase, Texas Instruments, Ifwd 1A, VRRM 50V, PDIP, Su foro, 8 Pin
  • € 8,27Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Raddrizzatore a ponte, Monofase, Texas Instruments, Ifwd 1A, VRRM 50V, PDIP, Su foro, 8 Pin
  • PonteMonofase
  • Corrente di forward media di picco1A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa50V
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packagePDIP
Prodotti simili in Raddrizzatori a ponte
MOSFET Texas Instruments, canale N, 8,5 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,651
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 8,5 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 8,5 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 1,242
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 8,5 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 270 mΩ, 3 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • € 0,135
    Unità (Su Bobina da 250)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 270 mΩ, 3 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain3 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • SerieFemtoFET
  • Tipo di packagePICOSTAR
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, D²PAK, Montaggio superficiale
  • € 3,956
    Unità (Su Bobina da 50)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, D²PAK, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain200 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageD²PAK
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, D²PAK, Montaggio superficiale
  • € 5,625
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, D²PAK, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain200 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageD²PAK
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 4,8 mΩ, 157 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • € 2,68
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 4,8 mΩ, 157 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain157 A
  • Tensione massima drain source80 V
  • Tipo di packageVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 110 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 1,108
    Unità (Su Bobina da 250)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 110 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
Texas Instruments Diodo a corrente costante LM334MX/NOPB, 1mA, SOIC, 8 Pin
  • € 0,635
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Texas Instruments Diodo a corrente costante LM334MX/NOPB, 1mA, SOIC, 8 Pin
  • Corrente regolatore massima1mA
  • Numero di elementi per chip1
  • Tensione di picco operativa massima40V
  • Tensione limite massima0.8V
  • Tipo di packageSOIC
Prodotti simili in Diodi a corrente costante
Diodo TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 6.5V, breakdown 4.5V, X1SON
  • € 0,302
    1pz in confezione da 25
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo TVS Texas Instruments, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 6.5V, breakdown 4.5V, X1SON
  • DirezioneUnidirezionale
  • Configurazione diodiSingolo
  • Tensione massima di bloccaggio6.5V
  • Tensione minima di breakdown4.5V
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in Diodi TVS
MOSFET Texas Instruments, canale N, 17,3 mΩ, 73 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,301
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 17,3 mΩ, 73 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain73 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Tipo di packageVSONP
  • SerieNexFET
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 14 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,22
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 14 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain14 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageVSONP
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 110 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • € 0,992
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 110 A, VSONP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieNexFET
  • Tipo di packageVSONP
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, DDPAK/ TO-263, Montaggio superficiale
  • € 1,218
    Unità (Su Bobina da 500)
MOSFET Texas Instruments, canale N, 200 A, DDPAK/ TO-263, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain200 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageDDPAK/ TO-263
  • Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Prodotti simili in MOSFET
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